好多工程师选MOSFET，第一反馈即是看导通电阻RDS(on)数值，以为越低越好。这想路在低压场景没间隙，但一到高压哄骗，问题就来了。作念充电桩的工程师选的MOSFET导通电阻惟有零点几欧，开关的时候却烫得能煎蛋。原因是他全盯着导通电阻RDS(on)选，完全没看栅极电荷Qg和开关时刻参数。高压场景下，开关损耗才是发烧大户，光看导通电阻就等于只买了个"省电"的壳子，内部的"坑"全忽视了。

今天就拿三款650V高压MOSFET料号来聊聊这个事：HKTS13N65、HKTD7N65、HKTD5N65。

导通电阻低就省电？先搞明晰损耗从哪来

MOSFET的损耗分两块：导通损耗和开关损耗。

导通损耗好贯通，即是电流流过器件时的I²R损耗，这部分如实和RDS(on)正相干。RDS(on)越低，导通损耗越小。

开关损耗就不一样了，是MOSFET在绽放和关断经由中产生的能量损耗，主要和栅极电荷Qg、开关时刻td(on)和td(off)相干。开关频率越高，这块损耗占比越大。

高压场景为什么开关损耗更隆起？因为高压MOSFET的导通电阻大量偏高，导通损耗自己就不低；而高压还意味着更高的VDS电压，开关霎时的dv/dt也更剧烈，Qg大少许、开关时刻长少许，损耗就蹭蹭往飞腾。

举个具体数字匡助贯通：假定一个开关电源责任频率100kHz，高压MOSFET的导通损耗可能只占30%，剩下70%齐是开关损耗。这时候你盯着RDS(on)选，省下的那点导通损耗，可能还不够填补开关损耗的穴洞。

三个中枢参数，金沙JinSha(中国)娱乐网入口一文说透

选高压MOSFET，不可只盯着RDS(on)，这三个参数得放一齐看：

1. RDS(on)导通电阻

径直决定导通损耗大小，单元是毫欧（mΩ）。天然是越低越好，但别忘了前边说的，高压场景下它不是独一决定成分。

2. Qg栅极总电荷

MOSFET要导通，需要往栅极注入电荷把电容充满。Qg越大，动手电路要提供的电荷越多，开关速率越慢，开关损耗越高。单元是纳库仑（nC）。

3. td(on)/td(off)绽放/关断蔓延时刻

从动手信号变化到MOSFET骨子完成绽放/关断的时刻。这个时刻越长，开关速率越慢，一样会推高开关损耗。

要点来了：低RDS(on)时常意味着更大的芯单方面积，开云体育芯片大了，结电容和栅极电荷也随着涨。是以低压MOSFET追求低RDS(on)是合理的，高压场景下这个想路要调度。

三款料号对比量度

这里拿三款650V高压MOSFET作念个对比，参数齐来自规格书：

HKTS13N65的RDS(on)最低，惟有380mΩ，看着很诱东谈主。但它的栅极总电荷Qg是28nC，开关时刻也偏长。要是你的哄骗频率不高、发烧主要来自导通损耗，选它没问题。

但要是你的开关频率在50kHz以上，HKTD7N65或HKTD5N65反而更合适。诚然导通电阻高一些，但栅极电荷Qg更小、开关更快，总损耗反而更低。特别是HKTD5N65，栅极电荷Qg惟有14nC，关断时刻65ns，开关性能特别利索。

有个浅陋的判断本事：估算一下导通损耗占比，要是低于50%，就别死磕导通电阻RDS(on)了，栅极电荷Qg和开关时刻才是要点。

骨子选型冷漠

集中上头的参数对比，给几个具体场景的冷漠：

高频开关电源（100kHz以上）：优先看栅极电荷Qg和开关时刻，推选HKTD5N65或HKTD7N65，开关损耗低，举座截止更有保险。

低频大功率哄骗（20kHz以下）：导通损耗占比大，不错选导通电阻RDS(on)低的HKTS13N65，导通电阻的上风能充分发达出来。

对截止要求高、发烧明锐的哄骗：作念个浅陋的损耗筹画，算明晰导通损耗和开关损耗各占几许，再决定侧重哪个参数。

还有一个容易被忽略的点：散热要求。RDS(on)低的器件芯单方面积大，散热旅途反而可能受限；导通电阻RDS(on)高少许的器件芯片小，TO-220F照旧全塑封绝缘封装，散热联想反而好作念。

选购避坑记忆

高压MOSFET选型，记取这三点：

1. 别只看RDS(on)，高频场景Qg和开关时刻才是要津

2. 先算损耗占比，导通损耗低于50%就别死磕导通电阻

3. 集中散热要求，TO-220F绝缘封装在某些场景反而更实用

选型这事，莫得十足的"好"和"坏"开云kaiyun(中国)，惟有恰当不恰当。下次有东谈主跟你说"RDS(on)越低越好"，不错径直把这篇著作甩给他看。